表 2 熔盐电沉积某些半导体的实验条件

Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体如 CdX（X=S、Se、Te）的薄膜，应用于光导体、电子器件、光电化学电池的研究。使用 LiCl-KCl 系熔盐温度较低，400

—550℃，操作较简单。Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体在发光二极管、太阳能电池中有重要的应用，已在熔盐中电沉积了 GaP、GaAs、InP。控制在表 2 的条件下，在单晶硅上得到外延的 GaP 层，厚约 10^-5。在熔盐中加入 ZnO， 电解时 Zn 会掺入沉积物中，可得 p 型半导体；加入 Na2SeO4 时掺入 Se， 可得 n 型半导体。

MoS2、WSe2 等过渡金属的硫族化合物，作为层状半导体具有特殊的

性能，可做固体润滑剂、锂电池活性物质、催化剂、光电化学电池的电极等。由于这些化合物的熔点高，宜采用熔盐电解法，可制得 0.001— 0.01m 厚度的薄片状单晶，这些单晶具有良好的光电化学特性。