六 畸变定理

定理表述为：在任何配位多面体中，只要中央原子的键价和的值保持不变，个别键长对平均值的偏离将使平均键长上升。

这一定理实由键价理论所派生。它实际上业已隐含在指数关系之中了（我们将在附录中予以证明）。另外，在由对称氢键向不对称氢键的过渡中我们也可体会到平均键长上升的效应。

【实例】在硅的结构化学中四配位是占统治地位的，但高压下 SiO2 将在 Stishovite 中以配位数为 6∶3 的金红石型结构存在。此中 Si-O 键长并非按直观的“判断”在高压过程中由 1.63■进一步缩短，而是产生6 个键长较均匀的键，其中 4 个键长为 1.76■、2 个为 1.81■，取 R0=1.63

■，B=0.36，得ΣS=4×0.697+2×0.607=4.002，结果甚佳。

此中的本质为，高压的作用在于缩短平均键长，使键长在一定范围内均匀化，从而导致产生配位数较高的结构型式。