【晶体三极管】

亦称为“半导体三极管”或简称“晶体管”。它是一种具有三个电极， 能起放大、振荡或开关等作用的半导体器件。按工作原理不同，可分为结型晶体管和场效应晶体管。结型晶体管是在半导体单晶上制备两个 p－n

结，组成一个 p－n－p（或 n－p－n）的结构，中间的 n 型（或 p 型）区叫基区，边上两个区域分别叫发射区和集电区，这三部分都有电极与外电路联接，分别称为“发射极”以字母 e 表示、“基极”以字母 b 表示和“集电极”以字母 c 表示。在电子线路中，用符号代表 p－n－p 型和 n－p－n 型晶体管如图 3—17 所示。晶体管用作放大

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器时，在发射极和基极之间输入电信号，以其电流控制集电极和基极

（或集电极和发射极）之间的电流，从而在负载上获得放大的电信号。同电子管相比晶体管具有体积小、重量轻、耐震动、寿命长，耗电小的优点， 但受温度影响较大。目前常用的晶体管主要是用锗或硅晶体制成。场效应晶体管是利用输入电压的电场作用控制输出电流的一种半导体器件。场效应晶体管又分为结型场效应晶体管和金属一氧化物一半导体场效应晶体管两大类。金属一氧化物一半导体场效应晶体管简称为 MOS 晶体管，它的结构如图 3－18 所示，共中 1 为栅极；2 为绝缘层；3 为沟道；4 为源，5 为漏。制作过程为在 n 型（或 p 型）晶片上扩散生成两个 p 型（或 n 型）区， 分别称为源和漏，从上面引出源极（接电压正端）和漏极（接负端），源和漏之间有一个沟道区，在它上面隔一层

■图 3—18

金属一氧化物一半导体场效应晶体管的示意图氧化层（或其它绝缘层）制作一层金属电极称为“栅极”。在场效应晶体管工作时，栅极电压的变化会引起沟道导电性能的变化，也就是说栅极电压变化控制了源漏之间的电流变化。场效应晶体管的特点是输入阻抗高和抗辐射能力强。

■金属—氧化物—半导体场效应晶体管的示意图