【半导体探测器】

近些年来发展的一种新型核辐射探测器。它的特点是能量分辨本领 好，分辨时间快。常用的半导体探测器有两种类型：(1)金硅面垒型，它是在一块 n 型硅单晶片上喷涂一层金膜，在金硅交界面附近形成一个高阻区。也就是形成一个非常薄的 P 型反型层，接线从底面和靠近交接部分的表面引出。形成一个半导体二极体。如果加上一个方向偏压，在二极体交接部分的电场使得只有微弱的电流能通过。在靠近交接部分的两边有一个所谓耗尽层的区域，所有反向偏电压都加在这个区域。耗尽层是半导体射线探测器的灵敏部分，如果射线穿过这部分，产生载流子，它们就会被收集，和气体电离室的情形一样。(2)锗（或硅）—锂漂移型探测器。它是使适量的锂均匀地漂移进一块 P 型锗（或硅）单晶，形成高阻区。使用时探

测器接上反向电压，当有射线进入高阻区时，损耗能量产生电子—空穴对， 在电场作用下，电子、空穴被收集，就有电信号输出，再用电子仪器记录。其中金硅面垒探测器适用于测量带电粒子。锗（或硅）—锂漂移探测器测量γ射线、X 射线等的能量分辨率特别好，但必须要在低温（77K）真空条件下工作。一般必须用液态氮冷却条件下使用。近代也曾把此种探测器放在火箭中升到太空做宇宙射线的探测和研究，在化学方面用来做化学分析后的放射性物质的精密测定。由于半导体探测器的体积小，将来会在医学上得到广泛的应用。