tunnel diode 隧道二极管(埃江崎珍于奈二极管)

1957 年 L．埃江崎珍于奈(1925—)发现的基于**隧道效应(tunnel effect)**的半导体二极管。它由高掺杂的半导体 p-n 结构成，其负偏压短路，且当正向偏压时，它局部呈负电阻现象。它的快速工作速度使之成为各电子领域中有用的器件。