transistor 晶体管

能整流且能放大的半导体(semiconductor)器件。是无线电、电视和计算机电路中的基本元件，已几乎完全替代了热电子管(thermionic valve)。点接触式晶体管于 1948 年造出，现已不用。它有一个小的锗晶体附着两个整流点式接触头；还有称为基极的第三个接触头，它同晶体的连接是低电阻非整流式的(欧姆性的)。流经此器件点式接头之间的电流被基极输入信号所调制。此种型式的晶体管已被在 1949—1950 年研制出的面结型晶体管所替代。场效应晶体管(FET)则是后来发明的。像面结型晶体管这样的双极式晶体管，其电流既决定于多数载流子，又决定于少数载流子；而像 FET 这样的单极式晶体管，其电流仅由多数载流子携带。在双极式面结型晶体管中，两个 p 型半导体区域被一薄层 n 型区域隔开，形成 p-n-p 结构。另一方面，n-p-n 结构也能应用。两种情况的薄层中间区域均称为基极，夹层结构的一外部区域称为发射极，另一外部区域称为集电极。发射极-基极结是正向偏压，集电极-基极结是反向偏压，在 p-n-p 型晶体管中，正向偏压使发射极区域中的空穴流过结后进入基极；由于基极较薄且有反向偏压的支持，多数空穴顺利地越过基极进入集电极，少数空穴不由基极流至集电极，而与 n 型基极中的电子结合。这种重新结合与流入基极电路的小量电子流保持平衡。在插图中，显示采用共基极型连接方式时电流流动的情况。如令发射极、基极和集电极电流分别为 Ie、Ib 和 Ic，则Ie=Ib+Ic，而电流放大率为 Ic/Ib。

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晶体管

场效应晶体管有两类：面结型场效应晶体管(JFET 或 JUGFET)和绝缘栅型场效应晶体管(IGFET，亦称 MOSFET，即金属-氧化物-半导体 FET)。这两类都是单极武器件；在这两类中，电流经两个电极间的窄形沟道(栅)，从一称为源的区域流到另一称为漏的区域。调制信号是加在栅上的。在 JFET 中，沟道包括一种导电率较低的半导体材料，并被层夹在两个导电率较高而极性相反的区域之间。当反向偏压加于这些区域间的结上时，形成了**过渡层(depletion layers)**使沟道变窄。在偏压很高时，阻挡层就会聚并使沟道完全箍断。因而，加于两栅(插图中的顶栅与底栅——译注)的电压控制着沟道厚度，从而控制其导电性能。一些 JFET 可制造成既带有 n 型沟道又带有 p 型沟道。在 IGFET 中，一薄片半导体材料有两个反极性向搀杂

区域扩散其内，形成源区和漏区。两区之间的表面上有一层二氧化硅绝缘层，而在此层的顶部有金属导体逸散镀膜其上以形成栅。当正电压加于栅时，电子在栅的下面沿着 p 型基材表面流动，产生一 n 型材料的薄表面。它成为源和漏间的沟道。这一表面层称为逆向层，因其导电性能与基材的相反而得名。感应的电子数量正比于栅压，因而沟道的导电性能随着栅压而增加。一些 IGFET 也可制造成既带有 p 型沟道又带有 n 型沟道。transitionpoint(transition temperature)转变点(转变温度)

物质的一种晶状变化成另一种晶状时的温度。
物质发生相变化时的温度。
物质变成超导性(参见 superconductivity)时的温度。
其他一些变化，例如磁性变化(参见 Curie tempera-ture)发生时的温度。