transistor 晶体管
能整流且能放大的半导体(semiconductor)器件。是无线电、电视和计算机电路中的基本元件,已几乎完全替代了热电子管(thermionic valve)。点接触式晶体管于 1948 年造出,现已不用。它有一个小的锗晶体附着两个整流点式接触头;还有称为基极的第三个接触头,它同晶体的连接是低电阻非整流式的(欧姆性的)。流经此器件点式接头之间的电流被基极输入信号所调制。此种型式的晶体管已被在 1949—1950 年研制出的面结型晶体管所替代。场效应晶体管(FET)则是后来发明的。像面结型晶体管这样的双极式晶体管,其电流既决定于多数载流子,又决定于少数载流子; 而像 FET 这样的单极式晶体管,其电流仅由多数载流子携带。在双极式面结型晶体管中,两个 p 型半导体区域被一薄层 n 型区域隔开,形成 p-n-p 结构。另一方面,n-p-n 结构也能应用。两种情况的薄层中间区域均称为基极,夹层结构的一外部区域称为发射极,另一外部区域称为集电极。发射极-基极结是正向偏压,集电极-基极结是反向偏压,在 p-n-p 型晶体管中,正向偏压使发射极区域中的空穴流过结后进入基极;由于基极较薄且有反向偏压的支持,多数空穴顺利地越过基极进入集电极,少数空穴不由基极流至集电极,而与 n 型基极中的电子结合。这种重新结合与流入基极电路的小量电子流保持平衡。在插图中,显示采用共基极型连接方式时电流流动的情况。如令发射极、基极和集电极电流分别为 Ie、Ib 和 Ic,则Ie=Ib+Ic,而电流放大率为 Ic/Ib。
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晶体管
场效应晶体管有两类:面结型场效应晶体管(JFET 或 JUGFET)和绝缘栅型场效应晶体管(IGFET,亦称 MOSFET,即金属-氧化物-半导体 FET)。这两类都是单极武器件;在这两类中,电流经两个电极间的窄形沟道(栅),从一称为源的区域流到另一称为漏的区域。调制信号是加在栅上的。在 JFET 中,沟道包括一种导电率较低的半导体材料,并被层夹在两个导电率较高而极性相反的区域之间。当反向偏压加于这些区域间的结上时,形成了**过 渡层(depletion layers)**使沟道变窄。在偏压很高时,阻挡层就会聚并使沟道完全箍断。因而,加于两栅(插图中的顶栅与底栅——译注)的电压控制着沟道厚度,从而控制其导电性能。一些 JFET 可制造成既带有 n 型沟道又带有 p 型沟道。在 IGFET 中,一薄片半导体材料有两个反极性向搀杂
区域扩散其内,形成源区和漏区。两区之间的表面上有一层二氧化硅绝缘层,而在此层的顶部有金属导体逸散镀膜其上以形成栅。当正电压加于栅时,电子在栅的下面沿着 p 型基材表面流动,产生一 n 型材料的薄表面。它成为源和漏间的沟道。这一表面层称为逆向层,因其导电性能与基材的相反而得名。感应的电子数量正比于栅压,因而沟道的导电性能随着栅压而增加。一些 IGFET 也可制造成既带有 p 型沟道又带有 n 型沟道。transitionpoint(transition temperature)转变点(转变温度)
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物质的一种晶状变化成另一种晶状时的温度。
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物质发生相变化时的温度。
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物质变成超导性(参见 superconductivity)时的温度。
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其他一些变化,例如磁性变化(参见 Curie tempera-ture)发生时的温度。