Hall effect 霍尔效应

当有强横向磁场存在时，若有电流流过导体或半导体内则会产生电动势，产生的电位差与电流和磁场都成直角，电位差是由于电荷载体被磁场偏转产生的。该效应由埃德温·霍尔(1855—1938 年)首次发现。产生的电场强度 EH 由下列关系式给定，EH＝RHjB，式中 j 是电流密度，B 是磁通密度，RH 是常数，称霍尔系数。RH 的值可表示为 1/ne，n 是每单位体积电荷载体数，e 是电荷，该效应用于研究金属和半导体中电荷载体的性质，并用在测量磁场的霍尔探测器中和磁控制的开关器件中。