photoionization 光致电离

由于电磁辐射的照射，导致原子或分子电离(ionization)。为发生 电离，辐射的入射光子能量必须超过被照射物的电离电位(ionization potential)。射出的光电子的能量 E 由下式给定：E＝hf－I，式中 h 为普朗克常数，f 为入射辐射波的频率，I 为被照射物的电离电位。photolithography 光刻法

制作半导体元件、集成电路等的技术，这项技术主要涉及掩蔽表面被选定的范围，暴露不该掩蔽的范围，技术过程包括引进杂质、沉积薄膜、除掉蚀刻下来的物质等。该技术已发展到用于微小结构(典型尺寸是微米)，这种结构只能借助显微镜检查。