329 半导体的光敏特性

当被光照射时,半导体的电阻值迅速减小,这叫做半导体的光敏特性。将光敏半导体串联在有电源的电路中,有光照射半导体时,电路中的电流随光照度的增大而增大。电流随光照度变化的规律如图(a)所示。

329 半导体的光敏特性 - 图1

方法一

器材 光敏电阻(RL 型),演示电表,低压直流电源,光源,电键,导线等。

操作
  1. 如图(b)连接电路。RL 为光敏电阻,演示电表用“G”档。

  2. 合上电键K,在无光照射 RL 时,电表的指针几乎不动,说明电路中电流很

小。

  1. 用光源(如手电筒)照射 RL,可看到电表指针发生偏转。说明光敏电阻被

光照射时电阻明显减小,电路中电流显著增大。

  1. 将光源靠近光敏电阻,增大光的照度,可看到电表指针偏角增大。说明光敏电阻的阻值随光照度的增加而减小。

建议 如果限于电表的灵敏度不能很好地显示电路中电流的变化,可加接一

329 半导体的光敏特性 - 图2个直流效大器。图(c)、图(d)、图(e)分别为一级、二级、三级直流放大器的电路, 图(c)中电阻R、R1、R2、电位器W2 和晶体管BG 构成一个电桥。电表和变阻器W1 串接在电桥的对角线PQ 上。当 n、m 之间无电流时,调节 W2,使电桥平衡。当 n、m 之间有较小电流通过时,使三极管集电极电流增大,从而使 P 点电位下降,破坏了电桥的平衡,电表中有较大电流通过。图(e)和图(d)电路原理相同,只是增加了电流放大的级数,使电表的灵敏度更高了。和电表串联的变阻器W1 可改变电表的量程。

方法二

器材 光电二极管(2CU1 型),演示电表,直流低压电源,电键,光源,导线等。

操作
  1. 如图(a)连接电路。合上电键,无光照射光电二极管DL 时,电表指针几乎

329 半导体的光敏特性 - 图3不动。说明电路中电流很小,无光照射DL 的反向电阻很大。

  1. 用较强的光源照射DL,可看到电表指针立即发生偏转。说明光电二极管受光照射后,反向电阻明显减小。

  2. 将光源靠近二极管,可看到电表指针偏转角增大。说明电流随光照度的增

大而增大。

  1. 移开光源或用手遮挡光线,电表的指针又回到零点。
注意
  1. 光电二极管务必反向接入电路中。因为光电二极管同样具有单向导电性, 正向接入电路中时电阻很小,电路中电流将很大。它反向接入电路而无光照射时, 电阻很大(加上 10—50V 的反向电压时,最大电流不超过 0.2μA)。有光照射时, 电阻明显减小,反向电流可达 80μA 以上。

  2. 如实验现象不够明显,同样可加接直流放大器(见方法一的建议部分)。

说明
  1. 329 半导体的光敏特性 - 图42CU 管的外型与管脚及符号见图(b)。管壳顶端有一个让光线射入的窗口, 窗口上有一个凸透镜。光线通过窗口经凸透镜会聚就射到管芯的PN 结上。

  2. 光照时电流增加的原因是PN 结上产生了新的电子一空穴对,从而导电性能增加,PN 结反向电阻减小,说明半导体PN 结具有光敏特性。

  3. 2CU1 型效果比 2CU2 型好。若使用 2CU2 型,可用手电筒光经凸透镜会聚后进行照射。

  4. 用万用表粗略检验 2CU 管的方法:将万用表拨至R×1K 档。红黑表棒先分别接 2CU 的正极和负极。表的偏转应很小,电阻读数一般在 200KΩ以上,再用手电筒照射光电管的窗口,表针偏转应立即加大,光线越强,光电管的反向电阻越小, 可降至几千欧,甚至几百欧。关掉手电筒,表针恢复原来最高阻值。最后将红黑表棒对换,测 2CU 的正向电阻,读数约几千欧,且不随光照强弱而改变。

方法三

器材 光电三极管(3DU5 型),演示电表,低压直流电源,光源,电键,导线

等。

操作
  1. 如图(a)连接电路。将光敏三极管BG 的集电极和发射极分别接电源的正、

329 半导体的光敏特性 - 图5负极。演示电表置“G”档。

  1. 合上电键K,可看到电表的指针几乎不动。这是因为光敏三极管的集电结处于反向电压下,电阻很大。

  2. 用光源照射光敏三极管,可看到电表的指针发生了明显的偏转。说明有光照射以后,光敏三极管的电阻明显变小。

  3. 将光源移近三极管,可看到电表偏转角变大。说明光的照度越大,光敏三极管的电阻越小。

  4. 移开光源或用手遮断光线,可看到电表的指针立即回到零点附近。

说明
  1. 当有光照射时,通过 3DU5 的电流可达 2—3mA,比方法一中操作(2)获得的电流要大得多,所以实验效果较好。

  2. 329 半导体的光敏特性 - 图63DU 型光敏三极管的外型、管脚及符号见图(b)。基极为受光极,没有引出脚。由于光敏三极管具有放大光电流的作用,因此可用毫安表测光电流。

  3. 使用锗 3AU1 时,电路如图(c)。

方法四

器材 玻璃管壳的 3AX81、3AX71 各 1 只(金属管壳要拆去外壳),0—200 μA 微安表,直流电源,电键,导线等。

操作

(1)观察发射结反向电阻的光敏特性。

329 半导体的光敏特性 - 图7①按图(a)连成电路。

②用手电筒照射管内锗片(PN 结)观察到光照后电流增大。(2)观察集电结反向电阻的光敏特性。

①按图(b)连成电路。

②操作同上。

说明
  1. 锗低频管的集电结反向电阻的光敏效果比发射结反向电阻的光敏效果

好。

  1. 用万用表挑选 3AX 管的方法

将万用表拨至R×1K 档。将 3AX 管用黑纸遮住。红黑表棒分别接管子的集电

极与发射极,测其集电结反向电阻。如达几百千欧(一般在 150KΩ以上),去掉纸罩,并用手电筒正对管子中的晶体照射,若集电结反向电阻立即下降到几千欧(一般 5KΩ以下),表明管子的光敏特性很好,按图(b)实验。否则,集电结反向电阻性能太差,按图(a)实验。

  1. 实验中直流电压值可根据实际情况选定。

方法一